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Compound semiconductor materials and devices / (Registro nro. 652525)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 02453nam a2200421 i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 000696856
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control OCoLC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20240105153042.0
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 170707t20162016caua rb 000 0 eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 1627058524
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9781627058520
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 1627058532
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9781627058537
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema 419537
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen YDXCP
Lengua de catalogación spa
Normas de descripción rda
Centro/agencia transcriptor YDXCP
Centro/agencia modificador UIASF
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK 7871.99.C65
Número de documento/Ítem C65.2016
245 00 - TÍTULO
Título Compound semiconductor materials and devices /
Mención de responsabilidad, etc. Zhaojun Liu, [y otros cuatro].
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright San Rafael, California :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Morgan & Claypool Publishers,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2016,
264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright ©2016
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión vii, 65 páginas :
Otras características físicas ilustraciones, gráficas, tablas ;
Dimensiones 24 cm.
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio sin mediación
Código del tipo de medio n
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte volumen
Código del tipo de soporte nc
Fuente rdacarrier
490 1# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Synthesis lectures on emerging engineering technologies
Designación de volumen o secuencia 3
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC.
Nota de bibliografía, etc. Incluye referencias bibliográficas (páginas 47-62).
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on techniques and new trends of HEMT, employing leading compound semiconductors, III-N and III-V materials. The content includes an overview of GaN HEMT device-scaling technologies and experimental research breakthroughs in fabricating various GaN MOSHEMT transistors. Readers are offered an inspiring example of monolithic integration of HEMT with LEDs, too. The authors compile the most relevant aspects of III-V HEMT, including the current status of state-of-art HEMTs, their possibility of replacing the Si CMOS transistor channel, and growth opportunities of III-V materials on an Si substrate. With detailed exploration and explanations, the book is a helpful source suitable for anyone learning about and working on compound semiconductor devices.
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Compound semiconductors
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Compuestos semiconductores
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Modulation-doped field-effect transistors
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Transistores de efecto de campo de modulación dopada
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Liu, Zhaojun
Títulos y otros términos asociados al nombre (Ingeniero electrónico)
Término indicativo de función/relación autor
830 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE-TÍTULO UNIFORME
Título uniforme Synthesis lectures on emerging engineering technologies
Designación de volumen o secuencia # 3.
905 ## - ELEMENTOS DE DATOS E LOCAL, LDE (RLIN)
a 01
942 #1 - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Libros
980 ## - EQUIVALENCIA O REFERENCIA-CRUZADA-MENCIÓN DE SERIE--NOMBRE DE PERSONA/TÍTULO [LOCAL, CANADÁ]
Enlace entre campo y número de secuencia 51
Información miscelánea Ronald RUIZ
Existencias
Ocultar copia en el Opac Estado de pérdida Estado dañado No para préstamo Código de colección Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Número de copia Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
        Acervo General Biblioteca Francisco Xavier Clavigero Biblioteca Francisco Xavier Clavigero Acervo   TK 7871.99.C65 C65.2016 UIA167419 2020-08-30 ej. 1 2020-08-30 Libros