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New prospects of integrating low substrate temperatures with scaling-sustained device architectural innovation / (Registro nro. 652819)
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| 000 -CABECERA | |
|---|---|
| campo de control de longitud fija | 06198nam a2200589 i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | 000697150 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
| campo de control | OCoLC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
| campo de control | 20240105153047.0 |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
| campo de control de longitud fija | 170712s2016 caua rb 000 0 eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 1627058540 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781627058544 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 1627058559 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
| Número Internacional Estándar del Libro | 9781627058551 |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
| Número de control de sistema | 419547 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
| Centro catalogador/agencia de origen | YDXCP |
| Lengua de catalogación | spa |
| Normas de descripción | rda |
| Centro/agencia transcriptor | YDXCP |
| Centro/agencia modificador | HNK |
| -- | UIASF |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
| Número de clasificación | TK 7874.75 |
| Número de documento/Ítem | A83.2016 |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Ashraf, Nabil Shovon |
| Fechas asociadas al nombre | 1974- |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 245 10 - TÍTULO | |
| Título | New prospects of integrating low substrate temperatures with scaling-sustained device architectural innovation / |
| Mención de responsabilidad, etc. | Nabil Shovon Ashraf, Shawon Alam, and Mohaiminul Alam, North South University. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | San Rafael, California : |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Morgan & Claypool Publishers, |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2016 |
| 264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | ©2016 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
| Extensión | viii, 72 páginas : |
| Otras características físicas | ilustraciones, gráficas, tablas ; |
| Dimensiones | 24 cm |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
| Término de tipo de contenido | texto |
| Código de tipo de contenido | txt |
| Fuente | rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO | |
| Nombre/término del tipo de medio | sin mediación |
| Código del tipo de medio | n |
| Fuente | rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
| Nombre/término del tipo de soporte | volumen |
| Código del tipo de soporte | nc |
| Fuente | rdacarrier |
| 490 1# - MENCIÓN DE SERIE | |
| Mención de serie | Synthesis lectures on emerging engineering technologies |
| Designación de volumen o secuencia | 4 |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. | |
| Nota de bibliografía, etc. | Incluye referencias bibliográficas (páginas 63-69). |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 1. Review of research on scaled device architectures and importance of lower substrate temperature operation of n-MOSFETs -- 1.1 Introduction and scope of this e-book -- 1.2 Basic overview and operational salient features of n-channel MOSFET device transport -- 1.3 Review of challenges and bottlenecks experienced over sustained MOSFET device scaling -- 1.4 Device parameters critical for performance enhancement for generalized scaling and at the end of Moore's Law -- 1.5 Role of substrate temperature modeling and control -- |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 2. Step-by-step computation of threshold voltage as a function of substrate temperatures -- 2.1 Essential modeling equations for computation of threshold voltage of N-channel MOSFET as a function of substrate/lattice temperature -- |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 3.Simulation outcomes for profile of threshold voltage as a function of substrate temperature based on key device-centric parameters -- 3.1 Simulation outcomes of various n-MOSFET device parameters including threshold voltage as a function of temperature -- 3.2 Simulation outcome of intrinsic carrier concentration (ni ) as a function of substrate or lattice temperature -- 3.3 Simulation outcome of incomplete ionization of Dopants relevant for lower substrate temperature operation -- 3.4 Simulation outcome of Fermi energy level EF (eV) as a function of temperature -- 3.5 Temperature dependence of flat band voltage [phi]ms (V) -- 3.6 P-type substrate n-channel MOSFET bulk potential dependence on substrate/lattice temperature -- 3.7 Dependence of threshold voltage VT of n-channel MOSFET on substrate temperature for 1 micro channel length MOSFET -- 3.7.1 Modeling impact of incomplete ionization on threshold voltage at the freeze-out temperature region: a closer look -- 3.8 Threshold voltage dependence on substrate temperature for different substrate doping conditions for an n-channel MOSFET -- 3.9 Threshold voltage dependence on substrate temperature for different oxide thickness for an n-channel MOSFET -- 3.10 Threshold voltage dependence on substrate temperature for negative substrate bias for an n-channel MOSFET -- 3.11 Threshold voltage dependence on substrate temperature for positive substrate bias for an n-channel MOSFET -- |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 4. Scaling projection of long channel threshold voltage variability with substrate temperatures to scaled node -- 4.1 Modeling and simulation results for a long channel MOSFET as channel length is scaled further -- |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 5. Advantage of lower substrate temperature MOSFET operation to minimize short channel effects and enhance reliability -- 5.1 Low substrate temperature MOSFET modeling benefits in consideration of short channel effects -- |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 6. A prospective outlook on implementation methodology of regulating substrate temperatures on silicon die -- 6.1 A short outlook on implementation of low substrate temperature MOSFET modeling and control -- |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 7. Summary of research results -- 7.1 Summary of research outcomes -- |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
| Nota de contenido con formato | 8. Conclusion -- References -- Authors' biographies. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. | |
| Sumario, etc. | In order to sustain Moore's Law-based device scaling, principal attention has focused on toward device architectural innovations for improved device performance as per ITRS projections for technology nodes up to 10 nm. Efficient integration of lower substrate temperatures (<300K) to these innovatively configured device structures can enable the industry professionals to keep up with Moore's Law-based scaling curve conforming with ITRS projection of device performance outcome values. In this prospective review E-book, the authors have systematically reviewed the research results based on scaled device architectures, identified key bottlenecks to sustained scaling-based performance, and through original device simulation outcomes of conventional long channel MOSFET extracted the variation profile of threshold voltage as a function of substrate temperature which will be instrumental in reducing subthreshold leakage current in the temperature range 100K-300K. An exploitation methodology to regulate the die temperature to enable the efficient performance of a high-density VLSI circuit is also documented in order to make the lower substrate temperature operation of VLSI circuits and systems on chip process compatible. |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Integrated circuits |
| Subdivisión general | Very large scale integration. |
| 650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Circuitos integrados - |
| Subdivisión general | Integración a alta escala |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Metal oxide semiconductor field-effect transistors. |
| 650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Transistores de efecto de campo |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Low temperature engineering. |
| 650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Temperaturas bajas - |
| Subdivisión general | Ingeniería |
| 650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Computer engineering. |
| 650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Ingeniería de computadoras |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Alam, Shawon |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA | |
| Nombre de persona | Alam, Mohaiminul |
| Término indicativo de función/relación | autor |
| 830 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE-TÍTULO UNIFORME | |
| Título uniforme | Synthesis lectures on emerging engineering technologies |
| Designación de volumen o secuencia | # 4. |
| 905 ## - ELEMENTOS DE DATOS E LOCAL, LDE (RLIN) | |
| a | 01 |
| 942 #1 - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
| Tipo de ítem Koha | Libros |
| 980 ## - EQUIVALENCIA O REFERENCIA-CRUZADA-MENCIÓN DE SERIE--NOMBRE DE PERSONA/TÍTULO [LOCAL, CANADÁ] | |
| Enlace entre campo y número de secuencia | 51 |
| Información miscelánea | Ronald RUIZ |
| Ocultar copia en el Opac | Estado de pérdida | Estado dañado | No para préstamo | Código de colección | Localización permanente | Ubicación/localización actual | Ubicación en estantería | Total de préstamos | Signatura topográfica completa | Código de barras | Fecha visto por última vez | Número de copia | Precio válido a partir de | Tipo de ítem Koha |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Acervo General | Biblioteca Francisco Xavier Clavigero | Biblioteca Francisco Xavier Clavigero | Acervo | TK 7874.75 A83.2016 | UIA167427 | 2020-08-30 | ej. 1 | 2020-08-30 | Libros |
