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Resistive random access memory (RRAM) : (Registro nro. 652825)

Detalles MARC
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03992nam a2200457 i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 000697156
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control OCoLC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20240105153047.0
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 170712t20162016caua rb 000 0 eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 1627059296
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9781627059299
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 162705930X
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9781627059305
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema 419546
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen YDXCP
Lengua de catalogación spa
Normas de descripción rda
Centro/agencia transcriptor YDXCP
Centro/agencia modificador UIASF
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK 7895.M4
Número de documento/Ítem Y87.2016
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Yu, Shimeng
Títulos y otros términos asociados al nombre (Ingeniero electrico)
Término indicativo de función/relación autor
245 10 - TÍTULO
Título Resistive random access memory (RRAM) :
Sub-título from devices to array architectures /
Mención de responsabilidad, etc. Shimeng Yu, Arizona State University.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright San Rafael, California :
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Morgan & Claypool Publishers,
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2016
264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright ©2016
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión vii, 71 páginas :
Otras características físicas ilustraciones, diagramas, gráficas ;
Dimensiones 24 cm
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio sin mediación
Código del tipo de medio n
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte volumen
Código del tipo de soporte nc
Fuente rdacarrier
490 1# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Synthesis lectures on emerging engineering technologies
Designación de volumen o secuencia 6
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC.
Nota de bibliografía, etc. Incluye bibliografía (páginas 57-69).
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 1. Introduction to RRAM technology -- 1.1 Overview of emerging memory technologies -- 1.2 RRAM basics -- 1.3 Recent research and development of RRAM technology --
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 2. Device fabrication and performances -- 2.1 Device fabrication: forming-free and scalability -- 2.2 Device performances -- 2.3 Device reliability --
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 3. RRAM characterization and modeling -- 3.1 Overview of RRAM physical mechanism -- 3.2 Materials and electrical characterization -- 3.3 Numerical modeling using kinetic Monte-Carlo method -- 3.4 Compact modeling for spice simulation --
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 4. RRAM array architecture -- 4.1 1T1R array -- 4.2 Cross-point array -- 4.3 Selector device -- 4.4 Peripheral circuits design -- 4.5 3D integration --
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 5. Outlook for RRAM's applications -- Bibliography -- Author biography.
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments and the electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications.
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Nonvolatile random-access memory.
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Subdivisión general Memoria de acceso aleatorio no volátil
830 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE-TÍTULO UNIFORME
Título uniforme Synthesis lectures on emerging engineering technologies
Designación de volumen o secuencia # 6.
905 ## - ELEMENTOS DE DATOS E LOCAL, LDE (RLIN)
a 01
942 #1 - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Tipo de ítem Koha Libros
980 ## - EQUIVALENCIA O REFERENCIA-CRUZADA-MENCIÓN DE SERIE--NOMBRE DE PERSONA/TÍTULO [LOCAL, CANADÁ]
Enlace entre campo y número de secuencia 51
Información miscelánea Ronald RUIZ
Existencias
Ocultar copia en el Opac Estado de pérdida Estado dañado No para préstamo Código de colección Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Número de copia Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
        Acervo General Biblioteca Francisco Xavier Clavigero Biblioteca Francisco Xavier Clavigero Acervo   TK 7895.M4 Y87.2016 UIA167428 2020-08-30 ej. 1 2020-08-30 Libros