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Resistive random access memory (RRAM) : (Registro nro. 652825)
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000 -CABECERA | |
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campo de control de longitud fija | 03992nam a2200457 i 4500 |
001 - NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | 000697156 |
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL | |
campo de control | OCoLC |
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN | |
campo de control | 20240105153047.0 |
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL | |
campo de control de longitud fija | 170712t20162016caua rb 000 0 eng d |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
Número Internacional Estándar del Libro | 1627059296 |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
Número Internacional Estándar del Libro | 9781627059299 |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
Número Internacional Estándar del Libro | 162705930X |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO | |
Número Internacional Estándar del Libro | 9781627059305 |
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA | |
Número de control de sistema | 419546 |
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN | |
Centro catalogador/agencia de origen | YDXCP |
Lengua de catalogación | spa |
Normas de descripción | rda |
Centro/agencia transcriptor | YDXCP |
Centro/agencia modificador | UIASF |
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO | |
Número de clasificación | TK 7895.M4 |
Número de documento/Ítem | Y87.2016 |
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA | |
Nombre de persona | Yu, Shimeng |
Títulos y otros términos asociados al nombre | (Ingeniero electrico) |
Término indicativo de función/relación | autor |
245 10 - TÍTULO | |
Título | Resistive random access memory (RRAM) : |
Sub-título | from devices to array architectures / |
Mención de responsabilidad, etc. | Shimeng Yu, Arizona State University. |
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright | San Rafael, California : |
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante | Morgan & Claypool Publishers, |
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | 2016 |
264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT | |
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright | ©2016 |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA | |
Extensión | vii, 71 páginas : |
Otras características físicas | ilustraciones, diagramas, gráficas ; |
Dimensiones | 24 cm |
336 ## - TIPO DE CONTENIDO | |
Término de tipo de contenido | texto |
Código de tipo de contenido | txt |
Fuente | rdacontent |
337 ## - TIPO DE MEDIO | |
Nombre/término del tipo de medio | sin mediación |
Código del tipo de medio | n |
Fuente | rdamedia |
338 ## - TIPO DE SOPORTE | |
Nombre/término del tipo de soporte | volumen |
Código del tipo de soporte | nc |
Fuente | rdacarrier |
490 1# - MENCIÓN DE SERIE | |
Mención de serie | Synthesis lectures on emerging engineering technologies |
Designación de volumen o secuencia | 6 |
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. | |
Nota de bibliografía, etc. | Incluye bibliografía (páginas 57-69). |
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | 1. Introduction to RRAM technology -- 1.1 Overview of emerging memory technologies -- 1.2 RRAM basics -- 1.3 Recent research and development of RRAM technology -- |
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | 2. Device fabrication and performances -- 2.1 Device fabrication: forming-free and scalability -- 2.2 Device performances -- 2.3 Device reliability -- |
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | 3. RRAM characterization and modeling -- 3.1 Overview of RRAM physical mechanism -- 3.2 Materials and electrical characterization -- 3.3 Numerical modeling using kinetic Monte-Carlo method -- 3.4 Compact modeling for spice simulation -- |
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | 4. RRAM array architecture -- 4.1 1T1R array -- 4.2 Cross-point array -- 4.3 Selector device -- 4.4 Peripheral circuits design -- 4.5 3D integration -- |
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO | |
Nota de contenido con formato | 5. Outlook for RRAM's applications -- Bibliography -- Author biography. |
520 3# - SUMARIO, ETC. | |
Sumario, etc. | RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments and the electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications. |
650 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada | Nonvolatile random-access memory. |
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA | |
Subdivisión general | Memoria de acceso aleatorio no volátil |
830 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE-TÍTULO UNIFORME | |
Título uniforme | Synthesis lectures on emerging engineering technologies |
Designación de volumen o secuencia | # 6. |
905 ## - ELEMENTOS DE DATOS E LOCAL, LDE (RLIN) | |
a | 01 |
942 #1 - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) | |
Tipo de ítem Koha | Libros |
980 ## - EQUIVALENCIA O REFERENCIA-CRUZADA-MENCIÓN DE SERIE--NOMBRE DE PERSONA/TÍTULO [LOCAL, CANADÁ] | |
Enlace entre campo y número de secuencia | 51 |
Información miscelánea | Ronald RUIZ |
Ocultar copia en el Opac | Estado de pérdida | Estado dañado | No para préstamo | Código de colección | Localización permanente | Ubicación/localización actual | Ubicación en estantería | Total de préstamos | Signatura topográfica completa | Código de barras | Fecha visto por última vez | Número de copia | Precio válido a partir de | Tipo de ítem Koha |
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Acervo General | Biblioteca Francisco Xavier Clavigero | Biblioteca Francisco Xavier Clavigero | Acervo | TK 7895.M4 Y87.2016 | UIA167428 | 2020-08-30 | ej. 1 | 2020-08-30 | Libros |