000 | 00861cam-a2200289-a-4500 | ||
---|---|---|---|
001 | 000105697 | ||
005 | 20240105135321.0 | ||
008 | 931103s1973 mx ao r 000 0 spa d | ||
035 | _a061750 | ||
035 | _aUIA0105697 | ||
040 |
_aUIASF _cUIASF |
||
041 | 1 |
_aSPA _hENG |
|
050 | 4 |
_aTK 7871.95 _bR5 |
|
100 | _aRichman, Paul | ||
245 | 1 | 0 |
_aTransistores de efecto de campo a metal y óxido / _cPaul Richman; vers. castellana por Emilio N. Packmann |
260 |
_aMéxico : _bAID, _c1973 |
||
300 |
_a142 p. : _bil., gráfs., tablas, fotos c; 23 cm |
||
500 | _aTraducción de Characteristics and operation of MOS field effect devices. | ||
500 | _aIncluye índice. | ||
650 | 0 | _aTransistores de efecto de campo | |
700 | 1 | _aPackmann, Emilio N | |
905 | _a01 | ||
942 | 1 | _cNEWBFXC1 | |
999 |
_c104286 _d104286 |
||
980 |
_851 _gRonald RUIZ |