| 000 | 00861cam-a2200289-a-4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 000105697 | ||
| 005 | 20240105135321.0 | ||
| 008 | 931103s1973 mx ao r 000 0 spa d | ||
| 035 | _a061750 | ||
| 035 | _aUIA0105697 | ||
| 040 |
_aUIASF _cUIASF |
||
| 041 | 1 |
_aSPA _hENG |
|
| 050 | 4 |
_aTK 7871.95 _bR5 |
|
| 100 | _aRichman, Paul | ||
| 245 | 1 | 0 |
_aTransistores de efecto de campo a metal y óxido / _cPaul Richman; vers. castellana por Emilio N. Packmann |
| 260 |
_aMéxico : _bAID, _c1973 |
||
| 300 |
_a142 p. : _bil., gráfs., tablas, fotos c; 23 cm |
||
| 500 | _aTraducción de Characteristics and operation of MOS field effect devices. | ||
| 500 | _aIncluye índice. | ||
| 650 | 0 | _aTransistores de efecto de campo | |
| 700 | 1 | _aPackmann, Emilio N | |
| 905 | _a01 | ||
| 942 | 1 | _cNEWBFXC1 | |
| 999 |
_c104286 _d104286 |
||
| 980 |
_851 _gRonald RUIZ |
||